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| 单线数字温度传感器DS18B20原理及其应用 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
作者:华信 文章来源:华信单片机工作室 点击数: 更新时间:2005-7-6 ![]() |
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DS18B20内部结构主要由四部分组成:64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管脚排列如下:
图(1)DS18B20外形图 引脚定义: (1) DQ为数字信号输入/输出端; (2) GND为电源地; (3) VDD为外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地)。内部结构
图 (2) DS18B20内部结构图 DS18B20有4个主要的数据部件: (1)光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是:开始8位(28H)是产品类型标号,接着的48位是该DS18B20自身的序列号,最后8位是前面56位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。(2) DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量,以12位转化为例:用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供,以0.0625℃/LSB形式表达,其中S为符号位。 表1 DS18B20温度值格式表 表2 DS18B20温度数据表
该字节各位的意义如下: 表3 配置寄存器结构
低五位一直都是1 ,TM是测试模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率,如下表所示:(DS18B20出厂时被设置为12位) 表4 温度值分辨率设置表
表5 DS18B20暂存寄存器分布
表6 ROM指令表
表7 RAM指令表
4. DS18B20工作原理 DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同,只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同,且温度转换时的延时时间由2s减为750ms。 DS18B20的读写时序如下。 PROC WRITEWRITE: MOV R2,#8 CLR C WR1: CLR DQ MOV R7,#6 DJNZ R7,$ RRC A MOV DQ,C MOV R7,#23 DJNZ R7,$ SETB DQ NOP DJNZ R2,WR1 SETB DQ RET ;读一个字节,出口:A=读入的字节 PROC DREAD DREAD: MOV R2,#8 READL: CLR C SETB DQ NOP NOP CLR DQ NOP NOP NOP SETB DQ ;产生时间片 MOV R7,#7 DJNZ R7,$ MOV C,DQ MOV R7,#23 DJNZ R7,$ RRC A DJNZ R2,READL RET 5. DS1820使用中注意事项 DS1820虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点,但在实际应用中也应注意以下几方面的问题: (1) 较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿,由于DS1820与微处理器间采用串行数据传送,因此,在对DS1820进行读写编程时,必须严格的保证读写时序,否则将无法读取测温结果。在使用PL/M、C等高级语言进行系统程序设计时,对DS1820操作部分最好采用汇编语言实现。 (2) 在DS1820的有关资料中均未提及单总线上所挂DS1820数量问题,容易使人误认为可以挂任意多个DS1820,在实际应用中并非如此。当单总线上所挂DS1820超过8个时,就需要解决微处理器的总线驱动问题,这一点在进行多点测温系统设计时要加以注意。 (3) 连接DS1820的总线电缆是有长度限制的。试验中,当采用普通信号电缆传输长度超过50m时,读取的测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时,正常通讯距离可达150m,当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时,正常通讯距离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此,在用DS1820进行长距离测温系统设计时要充分考虑总线分布电容和阻抗匹配问题。 (4) 在DS1820测温程序设计中,向DS1820发出温度转换命令后,程序总要等待DS1820的返回信号,一旦某个DS1820接触不好或断线,当程序读该DS1820时,将没有返回信号,程序进入死循环。这一点在进行DS1820硬件连接和软件设计时也要给予一定的重视。 测温电缆线建议采用屏蔽4芯双绞线,其中一对线接地线与信号线,另一组接VCC和地线,屏蔽层在源端单点接地。 |
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